Hagymási Imre posztdoktor kutató kollégánk (SZFI Erősen korrelált rendszerek “Lendület” kutatócsoport) Vancsó Péterrel és Tapasztó Leventével (MTA EK MFA 2D Nanoelektronika “Lendület” kutatócsoport) együttműködésben a 2D Materials folyóiratban közölte legújabb eredményeit [1], amely az Institute of Physics (IOP) egyik legújabb folyóirata s a legrangosabb a kétdimenziós anyagok területén.
A szerzők egy koncepcionálisan új, cikcakk grafén nanoszalagon alapuló térvezérlésű tranzisztort javasolnak, amelynek működése a korábban kísérletileg is alátámasztott elméleti modelljükön alapszik [2]. A szóbanforgó eszköz új távlatokat nyithat a grafén spintronikai alkalmazásában, mivel pusztán a kapufeszültség hangolásával kontrollálható a tranzisztoron átfolyó elektronok spinpolarizációja. Eddig ez csak kísérletileg nehezen megvalósítható módon, pl. külső mágneses térrel, ferromágneses kontaktusokkal, vagy a szalag síkjában lévő elektromos térrel volt lehetséges. Ezzel szemben a szerzők által javasolt eszköz a hagyományos térvezérlésű tranzisztorok mintájára, a szalag síkjára merőleges elektromos térrel (kapuelektródával) vezérelhető, a legegyszerűbb három terminálos elrendezésben (1. ábra).
A javasolt eszköz további előnye, hogy robusztus az élhibákkal szemben (a karosszék szalagokkal ellentétben), alacsony feszültségekkel (0,1-1 V) és igen nagy sebességgel (~71 mV/dec) végezhető a ki- és bekapcsolás.
A teljes cikk ide kattintva érhető el.
[1] P. Vancsó, I. Hagymási, and L. Tapasztó, 2D Materials 4 024008 (2017).
[2] G. Zs. Magda, X. Jin, I. Hagymási, P. Vancsó, Z. Osváth, P. Nemes-Incze, C. Hwang, L. P. Biró, and L. Tapasztó, Nature 514, 608-611 (2014).
